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日前，记者从安徽大学获悉，第48届日内瓦国际发明展于4月26日至30日在瑞士联邦日内瓦国际会展中心举办，来自40多个国家和地区的1000余项科技发明参展。这是自2020年以来该展览会首次恢复线下展出，今年安徽大学首次参展，共选送两个科技发明项目。
据悉，安徽大学胡存刚教授牵头申报的 “Super-high power density GaN-based DC-DC converter” 项目荣获最高级别奖项 “特别嘉许金奖”（Gold Medal AFJ Award），是国内高校在CLASS C（含计算机科学、软件、电子、电气和通信）大类中获得的唯一最高奖项，也是安徽省参加日内瓦国际发明展的最好成绩；曹文平教授牵头申报的 “Intelligent gate-drive control of SiC power devices for through-life health monitoring” 项目荣获发明金奖（Gold Medal）。
胡存刚教授团队申报的项目通过安徽大学与清华大学、合肥华耀电子工业有限公司长期联合攻关，研发了氮化镓DC/DC变换器的新型拓扑、高效控制算法和主动热管理等关键技术，实现满载效率98%以上，变换器功率密度高达524W/in3，为全球领先水平。
曹文平教授团队申报的项目是安徽大学与合肥安赛思半导体有限公司、英国莱斯特大学的最新合作成果，通过对碳化硅功率器件的数字化建模和在线数据收集、处理和识别，采用先进的主动门极智能驱动技术，实现了碳化硅功率器件的自适应控制、故障保护和全生命周期健康管理。这两项技术在新能源发电、新能源汽车和装备电源领域具有广泛的应用前景，有利于推动我国战略性新兴产业的高速发展。
据了解，日内瓦国际发明展创办于1973年，是世界上举办历史最长、规模最大和最具影响力的国际发明展，由世界知识产权组织、瑞士联邦政府、日内瓦州政府和日内瓦市共同举办。奖项分为金银铜三个级别，“特别嘉许金奖”是从大赛金奖中选拔产生，须评审团全票通过。
安徽大学“双一流”建设以来，学校高度重视科技创新和国际交流合作，积极推进“产学研用”深度融合。本次参展项目是该校在材料科学与工程、电气工程和人工智能等多学科交叉融合的最新创新成果，标志着安徽大学在宽禁带功率半导体领域的研究处于国际领先地位。
记者 祁琳
